Perpustakaan Digital ITB

Penelitian ini mengkaji fabrikasi film tipis ZnO dan ZnO dop aluminum (AZO) dengan perlakuan reflux dan aplikasinya pada sel surya hibrid dengan struktur inverted pada persambungan bulk donor P3HT dan akseptor PCBM. Dengan struktur persambungan ITO/AZO(ZnO)/P3HT:PCBM/PEDOT:PSS/Ag. Film ZnO dan AZO pada sel surya hibrid berperan sebagai film electron transport layer (ETL). Perlakuan reflux pada metoda sol-gel larutan prekursor diharapkan dapat mempengaruhi sifat dan struktur nano ZnO. Deposisi film tipis ZnO dan AZO dengan metoda spin coating berhasil dilakukan. Dari karakterisasi film tipis ZnO dan AZO teramati bahwa sifat optik dan elektronik film tipis ZnO dan AZO sangat dipengaruhi oleh perlakuan reflux. Dari karakterisasi UV-Vis perlakuan reflux berpengaruh pada sifat transparansinya, dari spektrum XRD teramati bahwa kristalisasi lebih baik dengan perlakuan reflux. Struktur nano film tipis juga dipengaruhi oleh perlakuan reflux hal ini teramati dari ukuran dan struktur yang ZnO dan AZO dihasilkan. Penambahan dop Al berpengaruh pada konduktifitas dan struktur nano ZnO. Aplikasi film tipis ZnO dan AZO pada sel surya hibrid perlakuan reflux meningkatkan performanya. Film tipis ZnO perlakuan reflux memberikan nilai Jsc =15 mA/ cm2 , Voc =0,33 V, FF =32,9 %, dan PCE=1,64 %, sedangkan film tipis AZO memberikan nilai Jsc =15,7 mA / cm2 , Voc = 0,46 V, FF =33,5 %, dan PCE=2,42 %.