Perpustakaan Digital ITB

Sejak penemuannya secara tidak sengaja oleh Uhlir pada tahun 1956, ketertarikan terhadap porous silicon (pSi) terus berkembang dengan melihat jumlah publikasi yang semakin bertambah sampai akhir tahun 90-an. Ketertarikan ini tak lepas dari sifat unik pSi dan aplikasi yang dapat digunakan dalam berbagai aplikasi antara lain sebagai photovoltaic devices, sensor gas, drug delivery hingga laser. Sintesis pSi dilakukan dalam sistem elektrokimia pada larutan HF dengan konsentrasi tertentu. Anodisasi elektrokimia ini menghasilkan lubang-lubang pada permukaan pSi. Terkait ukurannya yang kecil atau efek quantum confinement, probabilitas dari rekombinasi yang bersifat radiatif dapat menghasilkan fotoluminesensi pada suhu kamar. Fotoluminesensi (PL) yang dihasilkan cenderung tidak stabil akibat teroksidasi oleh udara. Penelitian ini bertujuan untuk mempelajari pengaruh kalium hidroksida (KOH) dalam sintesis pSi dan perlakuan permukaan trimetilsililklorida (TMSCl) dan polianilin (PANI) terhadap perlakuan permukaan pSi terkait intensitas fotoluminesensinya. Hasil pengukuran fluoresensi menunjukkan bahwa pengaruh KOH terhadap intensitas PL terlihat pada larutan elektrolit yang digunakan dimana mol KOH sama dengan mol HF. Untuk memperjelas morfologi permukaan pada pSi dilakukan pengamatan permukaan menggunakan Scanning Electron Microscope (SEM).