Perpustakaan Digital ITB

Lapisan penghantar lubang (hole transport layer/HTL) umumnya merupakan semikonduktor tipe-p adalah komponen penting dalam berbagai perangkat elektronik, seperti sel surya, Organic Light Emitting Diode (OLED), dan Organic Field Effect Transistor (OFET). CuSCN merupakan salah satu material yang potensial untuk diaplikasikan sebagai HTL pada perangkat fotovoltaik. Film tipis CuSCN dapat dideposisikan dengan berbagai teknik, salah satunya teknik elektrodeposisi. Teknik elektrodeposisi memiliki beberapa kelebihan, diantaranya berbiaya rendah, ramah lingkungan dan laju deposisi film dapat dikontrol. Kualitas lapisan CuSCN memengaruhi efisiensi transpor muatan serta kinerja perangkat fotovoltaik. Tantangan utama dalam proses elektrodeposisi adalah pengendalian kekasaran dan ketebalan film. Penambahan EDTA sebagai agen pengkelat dapat menjadi solusi. Dalam penelitian ini, dilakukan proses elektrodeposisi CuSCN pada substrat FTO dengan variasi konsentrasi EDTA sebesar 0, 3, 6, 9, dan 12 mM, guna mengevaluasi pengaruh EDTA terhadap karakteristik film tipis yang dihasilkan. Hasil penelitian menunjukkan bahwa penambahan EDTA mempengaruhi laju elektrodeposisi CuSCN. Pada penambahan konsentrasi EDTA sebesar 12 mM, laju deposisi tercatat sebesar 8,36 Å/s, sedangkan tanpa penambahan EDTA, laju deposisi mencapai 16,30 Å/s. Konsentrasi EDTA yang optimal menghasilkan film yang lebih transparan dan memiliki konduktivitas lebih tinggi. Konduktivitas tertinggi diperoleh pada penambahan 6 mM EDTA, yakni sebesar 1,15 × 10?? S/cm. Laju deposisi pada penambahan konesentrasi EDTA sebesar 9,62 Å/s. Pengukuran I–V menunjukkan bahwa film CuSCN hasil deposisi memiliki sifat Ohmik. Karakterisasi struktur kristal menggunakan spektroskopi Raman mengindikasikan bahwa jenis kristal CuSCN yang terbentuk kemungkinan adalah ?-CuSCN. Selain itu, elektrodeposisi CuSCN di atas lapisan TiO? menghasilkan perangkat p–n junction yang menunjukkan karakteristik arus penyearah, meskipun performanya belum optimal.