Perpustakaan Digital ITB

Atomic Layer Deposition (ALD) merupakan metode deposisi lapisan tipis yang memiliki kontrol ketebalan hingga skala atom. Selektivitas deposisi pada material dua dimensi seperti MoS? dan MoSe? dipengaruhi oleh mekanisme adsorpsi dan dekomposisi prekursor. Penelitian ini bertujuan menghitung adsorpsi selektif trimetilaluminium (TMA) pada monolayer MoS? dan MoSe?, membandingkan kebolehjadian dekomposisi TMA, serta menganalisis pengaruh cacat vakansi terhadap proses tersebut menggunakan metode Density Functional Theory (DFT). Optimasi struktur dilakukan menggunakan fungsional vdW-DF-ob86 dengan kpoint 16×16×1. Hasil menunjukkan bahwa konfigurasi adsorpsi paling stabil adalah orientasi Lay, dengan energi interaksi sebesar ?0,665 eV pada MoS? dan ?0,652 eV pada MoSe?. Keberadaan cacat vakansi menurunkan kekuatan adsorpsi awal menjadi ?0,495 eV pada MoS? dan ?0,491 eV pada MoSe?. Analisis diagram tingkat energi menunjukkan bahwa mekanisme dekomposisi kedua lebih menguntungkan secara termodinamika dibandingkan mekanisme pertama. Pada permukaan pristine, energi akhir MoS? lebih rendah dibandingkan MoSe?, sedangkan pada permukaan cacat energi akhir MoSe? menjadi lebih rendah daripada MoS?. Hasil ini menunjukkan bahwa cacat vakansi memodifikasi jalur reaksi dan meningkatkan stabilisasi produk akhir, khususnya pada MoSe?, sehingga berpotensi meningkatkan selektivitas deposisi TMA pada proses ALD.