Perpustakaan Digital ITB

Material CsPbBr3 merupakah jenis perovskit yang menjanjikan dalam aplikasi perangkat optoelektronik, salah satu penerapannya adalah sel surya. Material ini memiliki keunggulan stabilitas dibandingkan perovskit berbasis kation organik maupun halida iodida. Namun masih terdapat tantangan saat fabrikasi sel surya perovskit seperti cacat kristal. Oleh karena itu, modifikasi lapisan sel surya perovskit dilakukan untuk meningkatkan kinetika pembawa muatan. Pada penelitian ini akan dikaji modifikasi sel surya perovskit sesium timbal bromida dengan penambahan lapisan perantara (interlayer) PFNI (poly[(9,9-bis(3'-(N,N- trimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-1,4-phenylene] diiodide) antara perovskit dengan elektroda karbon sebagai agen pasivasi lapisan perovskit. Pembuatan lapisan perovskit menggunakan metode two step deposition spin coating karena kendala solubilitas CsBr. Kelemahan metode ini adanya fasa lain yang kerap muncul saat fabrikasi, seperti CsPb2Br5 atau Cs4PbBr6 disebabkan tidak setimbangan stoikiometri. Dalam penelitian ini Cs4PbBr6 lebih menonjol sebagai fasa polimorfik pada lapisan perovskit. Dengan penambahan interlayer PFNI efisiensi sel meningkat dari 2,82% menjadi 4,02% sekaligus mengurangi fasa Cs4PbBr6 pada permukaan perovskit ditunjukkan dari karakterisasi GI-XRD. Variasi ini juga menunjukkan peluruhan cepat pada pengukuran TPV terkait menurunnya penghalang potensial pada permukaan lapisan perovskit. Oleh karena itu, PFNI berhasil sebagai agen pasivasi dapat mengurangi fasa lain yang terbentuk pada permukaan perovskit.