Perpustakaan Digital ITB

ZnO merupakan material semikonduktor dengan energi band gap yang lebar pada temperatur ruangan. dan energi ikat eksiton yang besar (~ 60 eV), memiliki transparansi optis dan konduktivitas listrik yang baik. Dengan melihat sifat-sifat tersebut, lapisan tipis ZnO merupakan kandidat yang menjanjikan untuk berbagai aplikasi seperti transparent conductive oxide (TCO), sel surya, liquid crystal display (LCD),photocatalytic, , sensor gas, dan lain sebagainya. Pada penelitian ini dilakukan sintesis lapisan tipis ZnO dengan menggunakan metoda chemical bath deposition menggunakan Zinc Acetate Dihydrate (Zn(CH3COOH)2.2H2O) sebagai prekursor dengan larutan ammonia dan kaca preparat sebagai substrat. Pada penelitian ini dilakukan pengaturan besar medan listrik eksternal pada saat proses deposisi. Temperatur kalsinasi yang digunakan adalah 550oC. Deposisi lapisan tipis ZnO pada substrat kaca preparat dengan metoda deposisi chemical bath telah berhasil dilakukan. X-ray Diffraction (XRD) sampel menunjukkan ZnO tanpa pengotor. Pemberian medan listrik eksternal selama proses pertumbuhan lapisan tipis ZnO meningkatkan keseragaman ukuran butir, kristalinitas lapisan tipis ZnO, dan ketebalan lapisan secara linier dengan laju 15.6 nm/kVcm-1. Nilai transmitansi optik lapisan tipis ZnO tanpa medan listrik adalah 52%-63% pada rentang gelombang sinar tampak, dengan band gap sebesar 3,92 eV.