Perpustakaan Digital ITB

Pada tugas akhir ini, dilakukan perhitungan arus terobosan pada divais spin-FET. Model dari divais yang digunakan adalah heterostruktur dengan susunan Fe-InSb-Fe. Efek bulk inversion asymmetry pada InSb dijadikan fokus utama penyebab polarisasi spin. Pembahasan dimulai dengan menggunakan efek bulk inversion asymmetry dalam perhitungan transmitansi dan polarisasi elektron bergantung spin untuk kasus penghalang potensial trapezoidal memanfaatkan fungsi Airy. Selanjutnya, dilakukan perhitungan transmitansi elektron bergantung spin dan polarisasi elektron terhadap sudut datang elektron. Didapatkan hasil bahwa sudut datang mempengaruhi transmitansi dan polarisasi elektron, nilai transmitansi yang diperoleh pun berbeda untuk tiap keadaan spin. Transmitansi dan polarisasi elektron bersifat kuasi-simetri terhadap sudut datang elektron. Transmitansi kemudian digunakan untuk menghitung arus terobosan dengan metode integrasi numerik Gauss-Laguerre. Hasil yang diperoleh menunjukkan bahwa rapat arus untuk kedua keadaan spin bertambah besar saat tegangan bias ditingkatkan dan rapat arus mengecil apabila lebar penghalang bertambah besar. Temperatur dan sudut datang elektron juga memengaruhi rapat arus. Rapat arus maksimum diperoleh ketika elektron datang dari arah tegak lurus penghalang.