Perpustakaan Digital ITB

Pada penelitian ini akan dipelajari sifat optik dari material Sn:ZnO. Sebagai pembanding, material ZnO murni yang telah difabrikasi pada penelitian sebelumnya akan disertakan dalam penelitian ini. Proses deposisi material dilakukan dengan menggunakan metode PVD yaitu sputtering. Ditumbuhkan 3 buah sampel Sn:ZnO menggunakan substrat Si dengan variasi temperatur penumbuhan yang berbeda yaitu temperatur ruang (RT), 150° C, dan 250° C. Proses deposisi dilakukan dengan memberikan suplai gas argon pada chamber sputtering. Hasil EDX mengonfirmasi Sn:ZnO berhasil ditumbuhkan di atas substrat Si dengan rata-rata konsentrasi dopan Sn sebesar 2 at%. Selain itu, pemberian dopan Sn memberikan pengaruh pada beberapa sifat optik material ZnO. Dilakukan karakterisasi sifat optik menggunakan spektroskopi elipsometri pada 3 sudut pengukuran yaitu 50°, 60°, dan 70° yang memberikan hasil pengukuran berupa spektra ? dan ?. Konstanta dielektrik yang diekstrak dari spektra ? dan ? menunjukkan pemberian doping Sn menggeser puncak ?1 ZnO murni ke energi yang lebih tinggi. Perbandingan nilai transmitansi antara sampel ZnO murni dan ketiga sampel Sn:ZnO menunjukkan peran Sn dalam meningkatkan transmitansi antara 2% sampai lebih dari 10%. Pengolahan fungsi dielektrik ?2 dapat menghasilkan optical conductivity yang menunjukkan adanya kenaikan konduktivitas sampel pada energi lebih dari 4 eV setelah diberi doping. Modifikasi sifat optik material ZnO melalui doping Sn tersebut membuat ZnO memiliki potensi yang besar untuk diaplikasikan pada divais optoelektronik seperti solar cell yang memerlukan material dengan celah pita lebar dengan transmitansi yang tinggi.