Perpustakaan Digital ITB

Semakin berkembangnya dunia semikonduktor semakin banyak penelitian dilakukan. Pada penelitian ini dilakukan percobaan doping Mg terhadap ZnO dengan tujuan merekayasa energi bandgap dan sifat listrik maupun sifat optik dari ZnO. ZnO:Mg ditumbuhkan diatas substrat Si menggunakan metode DC Unbalanced Magnetron Sputtering. Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh doping Mg terhadap ZnO dalam sifat listrik dan sifat optik. Setalah dilakukan penumbuhan akan dilakukan karakterisasi menggunakan Spectroscopy Ellipsometry, spektroskopi UV-Vis, dan karakterisasi I-V. Hasil karakterisasi SE menunjukan adanya parameter kekasaran, dan ketebalan yang berbeda untuk setiap konsentrasi. Selain itu karakteristik SE menghasilkan adanya konstanta dielektrik ????1 yang menunjukan adanya pergeseran polaritas seiring bertambahnya konsentrasi dikarenakan adanyanya efek Burstein-Moss dan ????2 menunjukan adanya pergeseran Absorbtion Edge karena adanya faktor perubahan ukuran partikel dan konsentrasi pembawa muatan. Hasil spektroskopi UV-Vis memberikan informasi mengenai pergeseran nilai energi bandgap pada saat ditambahkan dopant dikarenakan sifat dopant yang dapat memperluas energi bandgap. Hasil karakterisasi I-V menunjukan nilai sensitivitas ZnO mengalami kenaikan pada saat ditambahkan dopant namun berkurang seiring bertambahnya konsentrasi dopant dan adanya pertambahan nilai schottky barrier dengan bertambahnya konsentrasi. Nilai schottky barrier yang bertambah mengindikasikan bahwa lapisan deplesi pada material ZnO:Mg lebih lebar dibandingkan ZnO murni sehingga menyebabkan elektron lebih sukar untuk melewati penghalang.