Perpustakaan Digital ITB

Pada penelitian ini, telah dilakukan penumbuhan graphene dengan metode dengan hot wire cell very high frequency plasma chemical vapour deposition (HWC-VHFPECVD). Sebelumnya, telah dilakukan preparasi substrat katalis film logam dengan deposisi evaporasi fisis tekanan rendah menggunakan prekursor nikel dan perak. Katalis film nikel dianil pada 600 oC dalam tiga kondisi yaitu 30, 60 dan 90 menit sedangkan perak pada dua kondisi, 30 dan 60 menit. Dari hasil pengukuran XRD diperoleh bahwa film perak teranil 60 menit memiliki struktur terbaik dengan intensitas maksimum berada pada arah (111) posisi 20= 38.12o, jarak antar bidang d= 0.23 nm, parameter kisi a = 0.408 nm, perbandingan intensitas pada arah (111) 20 kali lebih besar dari (222) yang menunjukkan bahwa struktur sangat didominasi oleh arah (111), film perak teranil ini digunakan untuk katalis penumbuhan graphene. Selanjutnya graphene ditumbuhkan dengan metode HWC-VHF-PECVD menggunakan prekursor gas metan (CH4) dengan laju alir 20 sccm, temperatur substrat 275 oC, tekanan chamber 300 mTorr, frekuensi 70 MHz, waktu penumbuhan selama 30 menit dan daya RF 20, 10 dan 8 watt. Karakterisasi graphene di atas perak dilakukan menggunakan spektrometer Raman yang menunjukan bahwa graphene memiliki puncak pada D-1340 cm-1,G-1595 cm-1,G-2647 cm-1 sedangkan dari karakterisasi UV-Vis diperoleh puncak sifat serapan graphene pada (lambada)=411 nm, citra Raman dan SEM dilakukan untuk melihat morfologi dan permukaan film.