Perpustakaan Digital ITB

Penumbuhan lapisan tipis MoS2 telah dilakukan di atas substrat silikon dan quartz dengan menggunakan metode mechanical exfoliation. Lapisan tipis MoS2 diambil dari bulk MoS2 dan diratakan menggunakan scotch tape yang kemudian ditumbuhkan pada substrat dalam kondisi ruang. Didapatkan sampel bulk MoS2 di atas substrat Silikon, dan lapisan tipis MoS2 di atas substrat quartz. Sampel dikaraterisasi menggunakan SEM (Scanning Elektron Microscope) untuk menentukan morfologi sampel, EDS (Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy) untuk menentukan komposisi sampel, XRD (X-Ray Diffraction) untuk menentukan kekristalan, FTIR (Fourier Transform Infrared) untuk menentukan jenis vibrasi ikatan infrared-aktif. Selanjutnya karakterisasi Raman spektroskopi dilakukan untuk mengetahui jenis vibrasi ikatan Raman-aktif serta mengestimasi jumlah lapisan dari sampel. Hasil SEM menunjukkan bahwa lapisan tipis MoS2 tumbuh di atas permukaan substrat quartz dengan membentuk flakes yang meliputi sekitar 25 – 35% permukaan subsrat, hasil XRD menunjukkan bahwa orientasi dominan terjadi pada sumbu c (002). Namun hasil FTIR tidak menunjukkan adanya puncak untuk vibrasi infrared-aktif dikarenakan rentang energi vibrasi yang terbatas. Hasil spektroskopi Raman menunjukkan adanya puncak vibrasi raman-aktif dengan estimasi jumlah lapisan yang tumbuh sekitar 6 -8 lapisan. Dari hasil – hasil tersebut, dapat disimpulkan bahwa lapisan tipis MoS2 telah berhasil ditumbuhkan serta mode vibrasi raman-aktif dapat ditemukan pada sampel.