MoS2 merupakan material golongan logam transisi dikalkogenida (TMDs) yang memiliki sifat semikonduktor dan memiliki struktur 2 dimensi seperti grafen. Struktur 2D membuat lapisan tipis atom MoS2 memiliki potensi untuk berintegrasi dengan material lain dengan struktur 2D untuk membentuk divais heterostruktur 2D hibrida. Pada penelitian sebelumnya kristal MoS2 single layer yang dideposisi dengan teknik eksfoliasi menunjukan struktur pita langsung dan fotoluminesen yang kuat serta rasio arus on/off yang tinggi sehingga MoS2 memiliki potensi untuk digunakan pada bidang divais elektronik, sensor dan optoelektronik yang baru. Aplikasi pada divais optoelektronik membutuhkan pengetahuan mengenai sifat optik material. Studi sifat optik MoS2 yang dideposisi menggunakan teknik eksfoliasi dan CVD telah dilaporkan. Namun studi sifat optik pada material MoS2 yang ditumbuhkan dengan teknik sputtering masih terbatas. Pada penelitian ini lapisan tipis MoS2 ditumbuhkan dengan teknik DC unbalanced magnetron sputtering. Kemudian sistem yang berhasil ditumbuhkan diteliti sifat optiknya. Hasil dari studi ini menunjukan bahwa sistem yang terbentuk merupakan material sistem Mo-S-O yang memiliki karakteristik yang berbeda dengan MoS2
Perpustakaan Digital ITB