ABSTRAK Alvin Nathanael
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
COVER Alvin Nathanael
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 1 Alvin Nathanael
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 2 Alvin Nathanael
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 3 Alvin Nathanael
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 4 Alvin Nathanael
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 5 Alvin Nathanael
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
PUSTAKA Alvin Nathanael
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
Penelitian ini menyelidiki sifat elektronik dan distribusi muatan pada sistem grafena
di atas permukaan silikon Si(100) dengan menggunakan pendekatan Density Functio-
nal Theory (DFT) melalui perangkat lunak Quantum ESPRESSO. Proses optimasi dan
relaksasi struktur dilakukan untuk menentukan jarak antar-lapisan yang paling stabil
secara energi. Hasil analisis density of states (DOS) menunjukkan adanya lembah di
sekitar energi Fermi pada sistem tanpa cacat, dengan jumlah keadaan yang signifikan.
Ketika satu atom silikon dihilangkan, jumlah keadaan pada lembah tersebut berkurang,
mengindikasikan bahwa cacat atomik memengaruhi karakteristik elektronik lokal. Vi-
sualisasi distribusi muatan melalui charge density difference (CDD) mengungkapkan
bahwa penghilangan atom silikon menyebabkan area depleksi muatan yang lebih luas
di bawah lapisan grafena, disertai area akumulasi muatan di atas permukaan silikon, ter-
utama di sekitar lokasi cacat. Analisis energi adhesi menunjukkan bahwa cacat atomik
memperkuat interaksi antara grafena dan substrat, yang tercermin dari peningkatan ke-
kuatan ikatan antar-lapisan. Temuan ini menegaskan bahwa cacat atomik tidak hanya
mengubah distribusi muatan, tetapi juga memengaruhi kekuatan ikatan antar-lapisan,
sehingga berpotensi dimanfaatkan dalam rekayasa sifat elektronik pada sistem heteros-
truktur dua dimensi.
Perpustakaan Digital ITB