Perpustakaan Digital ITB

Pada penelitian ini dilakukan simulasi permukaan silikon FCC sebagai adsorben karbon dioksida (CO2) menggunakan metode Density Functional Theory (DFT) yang diimplementasikan pada software Vienna Ab Initio Simulation Package (VASP) untuk mengevaluasi energi total Si/CO2. Generalized Gradient Approximation (GGA) digunakan untuk fungsi pertukaran-korelasi, sedangkan metode Projector Augmented Wave (PAW) digunakan untuk memodelkan elektron inti dengan pemutusan energi 240 eV. Tiga FCC Si (100), (110), dan (111) digunakan untuk menentukan situs aktif CO2 pada permukaan Si. Selain itu, CO2 ditempatkan dalam berbagai posisi di Top (atas), Bridge (jembatan), dan Hollow (lubang) dari permukaan Si. Permukaan silikon dipilih sebagai substrat dalam studi nanoelektronik karena sifat elektroniknya yang baik dalam mengadsorpsi CO2. Karbon dioksida (CO2) yang bersifat tidak beracun, namun dampaknya mengakibatkan suhu bumi menjadi meningkat. Dengan mempertimbangkan peran penting silikon dalam teknologi, untuk mengetahui tentang sifat-sifat struktur baru dan hasil energi adsorpsi yang diperoleh dengan menggabungkan keduanya. Dari perhitungan DFT, CO2 teradsorpsi pada permukaan FCC Si dari Si (111) dengan energi adsorpsi CO2 sebesar -0,787 eV (bridge); -0,558 eV (hollow); dan -0,251 (top). Kesenjangan energi sebesar -3,914 eV (bridge); -3,942 eV (hollow); dan -3,965 eV (top) diperoleh dari analisis densitas keadaan. Oleh karena itu, dari hasil kalkulasi menujukkan bahwa dengan adsorpsi tersebut dapat mengetahui kemampuan silikon cukup baik dalam menyerap molekul gas CO2 untuk mengurangi kadar CO2 di lingkungan makhluk hidup.