digilib@itb.ac.id +62 812 2508 8800

ABSTRAK Abdullah Rasyid Daelani
PUBLIC Yati Rochayati

BAB 1 Abdullah Rasyid Daelani
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan

BAB 2 Abdullah Rasyid Daelani
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan

BAB 3 Abdullah Rasyid Daelani
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan

BAB 4 Abdullah Rasyid Daelani
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan

BAB 5 Abdullah Rasyid Daelani
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan

COVER Abdullah Rasyid Daelani
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan

PUSTAKA Abdullah Rasyid Daelani
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan

Interaksi antara elektron bebas pada metal dengan cahaya menyebabkan adanya plasmon, yang menyebabkan terjadinya delokalisasi elektron. Kondisi delokalisasi elektron yang terjadi pada perbatasan antara medium dielektrik dan metal menyebabkan fenomena propagasi kerapatan elektron sepanjang perbatasan antar medium yang disebut sebagai respons plasmon permukaan (SPR). Fenomena tersebut mengakibatkan terjadinya penyerapan cahaya pada panjang gelombang dan sudut datang yang terkait. SPR banyak diaplikasikan pada biosensor dan devais fotonik. Serapan SPR dapat ditingkatkan menggunakan pengopel SPR, salah satunya berupa kisi difraksi. Penelitian ini telah berhasil memfabrikasi kisi difraksi satu dimensi yang berukuran sub-mikron sebagai pengopel SPR. Kisi difraksi tersebut dicetak dengan cetakan Si ber-duty cycle 53,33% menggunakan metode imprint lithography. Yang selanjutnya, kisi difraksi SPR difabrikasi dengan pelapisan emas pada kisi difraksi setebal 80 nm dan 100 nm menggunakan metode thermal evaporation. Pengukuran SEM menunjukkan terbentuknya kisi difraksi yang memiliki kesesuaian dengan bentuk cetakan Si ber-duty cycle 75,71%. Simulasi karakterisasi SPR dilakukan menggunakan metode Rigorous Coupled-Wave Analysis dengan program MATLAB. Hasil pengukuran SPR dengan pengopel kisi difraksi dibandingkan dengan hasil simulasi memiliki galat sebesar: 0,10% hingga 0,94% untuk ketebalan emas 80 nm dan 1,19% hingga 3,92% untuk ketebalan emas 100 nm. Ketidaksesuaian tersebut diduga terjadi karena adanya perbedaan duty cycle antara cetakan Si dan kisi difraksi SPR.