digilib@itb.ac.id +62 812 2508 8800

Karakteristik listrik pada struktur Metal Isolator Semikonduktor (MIS) berbasis lapisan tipis karbon di atas γ-Al2O3/Si telah dipelajari. Lapisan tipis karbon dideposisi menggunakan DC Unbalanced Magnetron Sputtering dengan karbon didoping serbuk besi sebagai target. Karakteristik lapisan tipis karbon menggunakan XRD, FTIR, Optic Microscopy, SEM/EDS, and Raman Spectra. Karakteristik listrik pada struktur ini diukur menggunakan alat ukur I-V pada konfigurasi in-plane dan cross-section. Pada karakterisasi I-V konfigurasi in-plane menunjukkan bahwa struktur MIS dengan lapisan karbon memiliki konduktivitas yang lebih tinggi. Pengaruh lapisan tipis karbon dianalisa dengan cara membandingkan karakteristik I-V pada struktur MIS dengan dan tanpa lapisan karbon. Lapisan karbon dan interface C/γ-Al2O3 memiliki peran yang sangat penting dalam meningkatkan rapat arus. Model diagram pita energi dan perhitungan teori telah dikembangkan untuk menganalisa lebih lanjut data karakteristik I-V. Pembuatan struktur MIS dengan lapisan karbon diharapkan menjadi devais elektronik berbasis karbon di masa depan.