digilib@itb.ac.id +62 812 2508 8800

Dokumen Asli
Terbatas  Dessy Rondang Monaomi
» Gedung UPT Perpustakaan

Sistem multiprocessing pada teknologi komputer terus berkembang sehingga membebani cara kerja sistem memori. Kemampuan sel memori semakin diuji dalam menghadapi kondisi ekstrem yang kerap terjadi ketika pasokan arus tidak dalam kondisi ideal. Dalam kondisi ekstrem banyak kemungkinan kegagalan pemrosesan data seperti writing dan reading. Teknologi spintronika, khususnya STT-RAM menjadi salah satu alternatif sel memori yang dapat menggantikan teknologi memori sebelumnya karena bersifat non-volatile dan melakukan pemrosesan dengan cepat sehingga lebih efisien. Akses terhadap fisik maupun penelitian STT-RAM terutama di Indonesia masih belum banyak ditemukan karena masih dalam tahap pengembangan. Proyek tugas akhir ini dibuat untuk melakukan penelitian dan pengembangan media pembelajaran STT-RAM berupa simulasi virtual laboratory. Penelitian ini berfokus pada efek proses transmisi data bit ketika bekerja pada kondisi ekstrem atau batas kritisnya. Dalam membuat virtual laboratory ini, pemodelan sistem STT-RAM menggunakan pendekatan stochastic switching karena STT-RAM masih rentan terhadap fluktuasi termal. Penelitian ini pun mengembangkan metode pengkodean kanal tipe linear block code yaitu LDPC, Hamming, dan Reed-Solomon sebagai salah satu cara untuk menekan nilai BER pada rentang kritis. Hasil penelitian menunjukkan bahwa pemodelan STT-RAM yang menggunakan pengkodean kanal dapat menurunkan nilai BER. Pengujian dan analisis pada titik arus tulis kritis, menunjukkan bahwa penggunaan metode layered coding Reed-Solomon dan LDPC dapat menurunkan BER hingga 93,10%, sedangkan pada pengujian arus baca kritis diperoleh pengkodean LDPC paling optimal karena mampu menurunkan BER hingga 15,17%. Pengukuran tersebut dilakukan pada titik arus kritisnya sehingga akan terdapat perbedaan perhitungan efisiensi BER pada titik uji lainnya. Berdasarkan penelitian tugas akhir ini diharapkan dapat membantu pembaca dalam mengenali dan mempelajari efek yang diperoleh ketika STT-RAM bekerja pada kondisi tidak ideal.