Perpustakaan Digital ITB

Penggabungan material transition metal dichalcogenides (TMDs) dua dimensi (2D) menjadi heterobilayer membuka peluang munculnya sifat elektronik yang lebih unggul dibandingkan lapisan tunggalnya. Namun, residu karbon (C) seringkali ditemukan pada material tersebut saat proses sintesisnya. Keberadaan residu karbon ini berpotensi mengubah karakteristik elektronik material TMDs. Penelitian ab initio pun dilakukan untuk menganalisis pengaruh ketidakmurnian karbon terhadap sifat elektronik material TMDs heterobilayer. Heterobilayer MoS2–MoSe2 memiliki rapat keadaan dan struktur pita energi yang unik bergantung pada konfigurasi susunan strukturnya. Hasil penelitian menunjukkan bahwa heterobilayer MoS2–MoSe2 dengan konfigurasi AB’ memiliki energi interaksi paling stabil dengan celah pita langsung sebesar 0,75 eV serta band alignment tipeII, dimana pita valensi maksimum dan pita konduksi minimum berasal dari lapisan yang berbeda. Penambahan atom karbon sebagai adatom mempertahankan karakter celah pita langsung sebesar 0,22 eV, sedangkan karbon sebagai dopan substitusi menghasilkan celah pita tidak langsung sebesar 0,36 eV. Adanya ketidakmurnian karbon menurunkan celah pita energi heterobilayer MoS?–MoSe?, sedangkan band alignment tetap tipe-II dan hanya berubah menjadi tipe-I pada konfigurasi tertentu.