Perpustakaan Digital ITB
1991 TS PP MADDUHIR 1-COVER.pdf
1991 TS PP MADDUHIR 1-BAB1.pdf
1991 TS PP MADDUHIR 1-BAB2.pdf
1991 TS PP MADDUHIR 1-BAB3.pdf
1991 TS PP MADDUHIR 1-BAB4.pdf
1991 TS PP MADDUHIR 1-BAB5.pdf
1991 TS PP MADDUHIR 1-BAB6.pdf
1991 TS PP MADDUHIR 1-BAB7.pdf
1991 TS PP MADDUHIR 1-PUSTAKA-A.pdf
1991 TS PP MADDUHIR 1-PUSTAKA-B.pdf
1991 TS PP MADDUHIR 1-PUSTAKA-C.pdf
Abstrak :
Penyelesaian persamaan divais secara analitis umumnya sulit dilakukan, lebih-lebih pada kasus dua dimensi atau lebih. Beranjak dari kesulitan ini beberapa Metoda Numerik telah dicoba dikembangkan, yaitu Metoda Beda Hingga dan Metoda Elemen Hingga.
Thesis ini membahas teknik penyelesaian persamaan dasar semikonduktor (yaitu persamaan Poisson, persamaan Kontinuitas dan persamaan Rapat Arus) secara numerik dengan menggunakan Metoda Elemen Hingga Duct Dimensi. Domain yang ditinjau adalah Transistor Bipolar Planar.
Simulasi dimaksudkan untuk melihat Distribusi Potensial Elektrostatis, Distribusi Quasi-Fermi Potensial Elektron dan Hole, Distribusi Rapat Muatan Elektron dan Hole, Arus dan Penguatan Arus.
Perangkat Lunak Simulasi dibuat dalam bahasa pemrograman (standar) Pascal dan di-Compile menggunakan Compiler Turbo Pascal 5.5 Dengan demikian , keseluruhan proses simulasi dapat dilakukan pada komputer pribadi IBM PC XT/AT tanpa menutup kemungkinan pengalihan Source-Code ke komputer yang lebih besar jika diinginkan.