ABSTRAK Mohammad Fadli Alifvian
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
COVER Mohammad Fadli Alifvian
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 1 Mohammad Fadli Alifvian
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 2 Mohammad Fadli Alifvian
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 3 Mohammad Fadli Alifvian
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 4 Mohammad Fadli Alifvian
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 5 Mohammad Fadli Alifvian
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
PUSTAKA Mohammad Fadli Alifvian
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Yati Rochayati
» Gedung UPT Perpustakaan
Sel surya perovskit merupakan sel surya generasi ketiga yang
difabrikasi dengan menggunakan kristal perovskit sebagai lapisan
penyerap cahaya aktif. Efisiensi dan performa sel surya perovskit
dipengaruhi oleh karakteristik dari lapisan penyusunnya. Terbentuknya
cacat dalam densitas yang tinggi pada permukaan lapisan perovskit
menjadi salah satu faktor yang dapat mengurangi efisiensi sel. Metode
pasivasi cacat merupakan salah satu metode yang dapat dilakukan untuk
mengurangi densitas cacat permukaan pada lapisan perovskit. Pada
penelitian tugas akhir ini, metode pasivasi cacat dilakukan dengan
menambahkan zat pasivasi cacat yaitu asam trifluoro asetat
(trifluoroacetic acid, disingkat sebagai TFA) pada lapisan perovskit
metil amonium timbal iodida (methylammonium lead iodide, disingkat
sebagai MAPbI3). TFA ini ditambahkan ke dalam larutan prekursor
MAPbI3. Penambahan TFA ke dalam lapisan perovskit MAPbI3 dapat
mengurangi jumlah cacat permukaannya yang terbentuk pada batas butir
(grain boundary), ditandai dengan peningkatan nilai ???????????? dari 0,78 V
menjadi 0,86 V, perubahan proses kinetika muatan bebas yaitu
penurunan parameter resistansi transfer muatan dari 196,10 ? menjadi
65,89 ? dan perlambatan waktu karateristik migrasi ion dari 1,55 detik
menjadi 11,83 detik pada kondisi iluminasi cahaya, serta peningkatan
masa hidup elektron dari 6,338 ????s menjadi 12,642 ????s pada titik tegangan
???????????? sebesar 0,61 V. Dengan berkurangnya jumlah cacat permukaan
tersebut, efisiensi sel surya perovskit MAPbI3 yang dibuat dapat
meningkat dari 6,011 % menjadi 8,54 %.