Perpustakaan Digital ITB

Penelitian ini bertujuan mempelajari pengaruh doping aluminium dengan berbagai konsentrasi pada material ZnO dan melihat sifat struktur, sifat optik dan sifat listrik yang dihasilkan serta aplikasinya untuk devais optoelektronik. Al:ZnO ditumbuhkan pada suhu ruang dengan variasi konsentrasi Al dan dibandingkan dengan ZnO murni dengan suhu deposisi yang sama. Al:ZnO ditumbuhkan diatas substrat silikon menggunakan metode DC Unbalanced Magnetron Sputtering. Masing-masing sampel dikarakterisasi menggunakan Scanning Electron Microscopy (SEM) dan Energy Dispersive X-Ray (EDX) spectroscopy untuk menganalis morfologi dan persentase atom. Karakterisasi X-Ray Diffraction (XRD) untuk menganalisis struktur kristal. Karakterisasi menggunakan spektroskopi Photoluminescence (PL), spektrofotometer UV-Vis untuk menganalisis sifat optik material, dan pengukuran I-V dengan konfigurasi struktur fotodetektor metal-semiconductor-metal (MSM) untuk menganalisis sifat listrik material. Penelitian akan terfokus pada analisis pengaruh konsentrasi doping Al terhadap sifat struktur, optik, dan listrik Al:ZnO. Karakterisasi SEM memperlihatkan adanya penurunan ukuran grain dengan adanya aluminium. Melalui pengukuran XRD pemberian doping Al, menyebabkan intensitas difraksi meningkat pada puncak (101). Pada hasil pengukuran PL, UV-Vis dan I-V meter terlihat bahwa nilai energi bandgap optik, konduktivitas, nilai sensitivitas dan responsibilitas lapisan tipis semakin tinggi seiring bertambahnya konsentrasi doping aluminium.