Perpustakaan Digital ITB

Pada penelitian ini, dipaparkan teori ortodoks untuk menjelaskan fenomena single-electron tunneling guna mensimulasikan devais SET secara numerik melalui metode Master Equation yang didasarkan pada pendekatan stokastik. Probabilitas tunnelling elektron menentukan densitas arus sesuai dengan input parameter yang dipilih. Akan dibahas beberapa devais SET seperti Si QD SET dan Ni nanogap SET untuk menunjukkan relevansi metode Master Equation dalam mengkomputasikan karakteristik listrik devais. Simulasi menunjukkan penurunan arus eksponensial pada rentang Coulomb blockade, dengan energi pengisisan 8 meV (Si QD) dan 53 meV (Ni nanogap). Selain itu, penemuan GMR menginisiasi perhatian pada transport elektronik sistem nanoskopik yang berbasis spinpolarized. Salah satu observasi transport elektronik tersebut dapat ditemukan pada eksperimen SET feromagnetik (FSET) yang juga dibahas pada penelitian ini, baik dengan island magnetik maupun nonmagnetik. Modifikasi metode Master Equation yang mengakomodasi perilaku muatan dan derajat kebebasan spin memungkinkan fenomena tersebut diobservasi pada sirkuit SET, terutama dalam bentuk tunnel magnetoresistance. Transport kemudian menunjukkan gejala SET seperti Coulomb staircase, Coulomb blockade dan osilasi periodik, serupa dengan simulasi SET secara umum. TMR yang diperoleh simulasi berosilasi pada nilai 0.1 (island magnetik) dan 0.018 (island nonmagnetik).