Perpustakaan Digital ITB

Telah ditumbuhkan lapisan tipis karbon diatas substrat silikon (111) dengan dan tanpa pencelupan pada larutan HF terhadap substrat Si. Penumbuhan film karbon diatas Si dilakukan dengan menggunakan metoda Unbalance Magnetron DC Sputtering. Permukaan substrat yang telah dimodifikasi dengan larutan HF 1% menghasilkan lapisan tipis yang lebih merata. Hasil karakterisasi AFM, SEM, dan EDX menunjukkan bahwa modifikasi permukaan Si dengan larutan HF dapat memacu penumbuhan lapisan tipis karbon. Selanjutnya, proses annealing dan karakterisasi Spektroskopi Raman dilakukan untuk mengetahui stabilitas termal lapisan tipis karbon diatas Si. Hasilnya, kondisi lapisan tipis karbon relatif stabil hingga suhu 6000 C dan mulai terjadi perubahan struktur setelah thermal annealing pada suhu 9000Cext few years.