Perpustakaan Digital ITB

Molibdenum Disulfida (MoS2) adalah se1ah satu bahan yang bersifat semikonduktor. MoS, memiliki banyak ciri khas yang menjanjikan dan salah satunya adalah celah pitanya memiliki nilai bukan no1 dibandingkan dengan graphene. MoS; bertindak sebagai semikonduktor dan karena konduktivitasnya yang dapat diubah, MoS2 efisien dan efektif untuk perangkat elektronik dan logika. Dengan prospek MoS2 yang dapat dijanjikan, tentunya kualitas properti MoS2 dapat ditingkatkan lebih tinggi untuk kebutuhan perangkat yang membutuhkan kapasitas dan beban kerja yang lebih tinggi. Oleh karena itu, MoS, ini didoping dengan Logam Tanah Jaranp• yang memiliki sifat elektrik, optik, dan fisik yang baik dan dengan harapan akan meningkatkan pula sifat-sifat dari MoSz saat didoping. Pada penelitian ini, akan diobservasi dan dianalisis bagaimana dampak dari doping Logam Tanah Jarang Neodymium terhadap sernikonduktor MoS2. Material ini akan ditumbuhkan menggunakan substrat SiOz dan menggunakan DC Unbalanced Magnetron Sputtering untuk penumbuhan film tipis material tersebut dengan target MoSz:Nd 7.5 at% dengan total massa target adalah 5 gram. Film tipis yang ditumbuhkan nantinya akan dikarakterisasi menggunakan XRD, SEM, EDX, UV- Vis dan karakteiisasi 1-V untuk melihat properti dari MoSz:Nd 7.5 at% ini dibandingkan dengan Mo$ 2 murni. Penumbuhan doping Nd pada MoSi berhasil dilakukan yang ditunjukkan oleh hasil SEM dan EDX. Pada UV-Vis, nilai bandgap MoS, dan MoS,:Nd berturut-turut adalah 2.607 eV dan 2.532 eV, yang menunjukkan pergeseran akibat doping Nd. Pada karakterisasi I-V, terjadi kenaikan rapat ams saat film tipis MoS2 didoping dengan Nd. Pada karakterisasi VSM, terjadi kenaikan medan magnet saat MoS2 didoping dengan Nd.