Perpustakaan Digital ITB

Penelitian ini bertujuan mempelajari pengaruh pemberian doping cerium 5% pada material MoS2 serta melihat sifat optik dan sifat listrik yang dihasilkan. MoS2:Ce ditumbuhkan pada suhu ruang dan dibandingkan dengan MoS2 murni dengan suhu deposisi yang sama. Adapun teknik deposisi yang digunakan pada penelitian ini adalah dc unbalanced magnetron sputtering.Masing-masing sampel dikarakterisasi menggunakan Scanning Electron Microscopy (SEM) dan Energy Dispersive X-Ray (EDX) spectroscopy untuk menganalisis morfologi dan persentase atom. Karakterisasi X-Ray Diffraction (XRD) untuk menganalisis struktur kristal. UV-Vis untuk menganalisis sifat optik material serta uji I-V untuk menganalisis sifat listrik material. Doping Ce pada material MoS2 telah berhasil ditumbuhkan ditandai dengan hasil uji karakterisasi SEM-EDX. Karakterisasi UV-Vis pada room temperature terlihat bahwa terjadi pergeseran nilai bandgap MoS2 murni dan MoS2 setelah didoping Ce yaitu dari 1.45 eV menjadi 1.27 eV. Karakterisasi I-V terlihat bahwa nilai rapat arus mengalami penurunan setelah di doping cerium.