Perpustakaan Digital ITB

Abstrak: Wafer Silicon-On-Insulator (SOI) dibuat dengan menggunakan metode Epitaxial-Layer-Transfer (ELTRAN) meliputi beberapa proses yaitu : sintesis silikon berpori, penumbuhan epitaksi, oksidasi, wafer bonding dan proses etsa. Ekspansi kisi pada silikon berpori dengan waktu sintesis 30 menit adalah 0,31%. Dengan ekspansi kisi 0,31%, lapisan ini memiliki sifat monokristal yang digunakan untuk penumbuhan epitaksi silikon. Karakterisasi Scan Electron Microscopy (SEM) pada lapisan epitaksi silikon menunjukkan bahwa lapisan tersebut memiliki butiran-butiran kecil dengan diameter 739 nm dan tebal lapisan sekitar 2,01 pm. Pola difraksi sinar-X (XRD) pada lapisan epitaksi silikon menunjukkan puncak 20 pada 69,55° yang sesuai dengan bidang kristal (400). Ketebalan lapisan oksida pada hasil wafer bonding sekitar 0,55 µm, ditentukan dengan menggunakan Scan Electron Microcopy (SEM) pada penampang lintang wafer. Energi permukaan pada wafer bonding sekitar 574,8 erglcm2.