Perpustakaan Digital ITB

Abstrak: Telah dilakukan perhitungan parameter-parameter sel surya GaAs dan GaSb berstruktur sambungan p-n. Parameter-parameter yang dihitung, meliputi; arus hubung singkat (ISC), tegangan rangkaian terbuka (V.,), dan efisiensi konversi (r)), sebagai fungsi dari ketebalan lapisan dan konsentrasi doping tak murnian. Struktur sel surya yang memiliki efisiensi konversi optimum untuk kedua sel terjadi pada ketebalan lapisan tipe-p dan tipe-n sebesar 1µm dan 3,5 µm, konsentrasi dopan p dan n sebesar 5x108 cm-3 dan 5x 1017 cm-3, berturut-turut. Struktur seperti ini dapat memberikan harga efisiensi konversi sebesar 19,87 % dan 6,80 % untuk sel surya GaAs dan GaSb, berturut-turut, dibawah kondisi penyinaran AM1,5. Pengaruh lapisan BSF (lapisan n') yang ditempatkan diantara lapisan tipe-n dan kontak ohmik belakang juga diselidiki. Tampak bahwa kehadiran lapisan BSF ini dapat menurunkan laju rekombinasi permukaan belakang dan rapat arus gelap dari lapisan belakang yang selanjutnya dapat meningkatkan efisiensi konversi sel surya sambungan p-n