Perpustakaan Digital ITB

Telah ditumbuhkan material silicon nanowire (SiNW) diatas substrat gelas dengan metode HWC-in plasma-VHF-PECVD dan berbantuan nanokatalis perak. Dua jenis nanokatalis masing-masing dibuat dengan menguapkan 10 dan 2,5 mg perak dianiling pada suhu 3800C dengan durasi yang berbeda, yaitu 40 menit dan 1 menit. Dari hasil karakterisasi diketahui bahwa kedua nanokatais memiliki kandungan perak sebesar 5 % namun dengan ukuran droplet yang berbeda. Nanokatalis ini kemudian dipakai untuk penumbuhan nanowire dengan metode HWC-in plasma-VHF-PECVD. Selama proses penumbuhan, akan dicoba dialirkan gas hidrogen dengan flowrate tertentu. Hal ini lazim disebut dilution atau pengenceran. Sementara itu, parameter penumbuhan lain seperti suhu, tekanan, dan daya rf dibuat tetap dan dipilih sesuai dengan parameter optimal dari penelitian yang telah dilakukan sebelumnya. Kemudian dilakukan karakterisasi SEM, FTIR, dan XRD, dan disimpulkan bahwa hidrogen dengan flowrate 35 sccm dapat mengurangi jumlah ikatan 𝑆𝑖 −𝐻 dan 𝐴𝑔 = 𝑂 serta memunculkan satu buah peak Si dan empat peak Ag pada hasil XRD, sementara dilution dengan flowrate hidrogen diatas 40 sccm akan membuat plasma tidak bisa dinyalakan.