Perpustakaan Digital ITB
2000 TS PP MUNASIR 1-COVER.pdf
2000 TS PP MUNASIR 1-BAB 1.pdf
2000 TS PP MUNASIR 1-BAB 2.pdf
2000 TS PP MUNASIR 1-BAB 3.pdf
2000 TS PP MUNASIR 1-BAB 4.pdf
2000 TS PP MUNASIR 1-BAB 5.pdf
2000 TS PP MUNASIR 1-PUSTAKA.pdf
Telah ditumbuhkan film tipis GaN diatas substrat sapphire (0001) dengan metode DC Sputtering Magnetron Tak Seimbang. Temperatur deposisi bervariasi antara 630-740oC dengan laju aliran gas Argon (Ar) dan gas Nitrogen dibuat bervariasi. Studi sifat optik terhadap film tipis GaN dilakukan dengan pengukuran fotolumine-sensi (PL) pada temperatur ruang. Dari hasil pengukuran PL ini inenunjukan bahwa , intensitas spektrum PL semakin tinggi dengan menaikan temperaxur deposisi, yang berarti kualitas film tipis GaN semakin balk. Film tipis GaN yang telah kita tumbuhkankan tersebut, mempunyai celah pita optik - 3,4 eV dan luminesensi dominan terjadi pada daerah biru (- 2,7 eV). Film tipis GaN mempunyai FWHM - 0.421eV untuk temperatur deposisi temperatur deposisi 740oC.