Perpustakaan Digital ITB

Telah dilakukan simulasi dinamika molekul untuk mempelajari mekanisme penumbuhan film tembaga pada substrat silikon dan proses annealing. Porensial Meam digunakan untuk mendeskripsikan interaksi Cu-Cu, Si-Si dan Cu-Si. Pada penelitian ini, parameter laju deposisi, temperatur annealing dan waktu difusi dianalisis pengaruhnya terhadap film tembaga yang dihasilkan. Dari hasil diketahui bahwa temperatur annealing dan waktu difusi memiliki pengaruh terhadap proses rekristalisasi. Diperoleh informasi bahwa temperatur 700 K adalah temperatur minimum agar terjadi proses rekristalisasi. Analisis struktur kristal menunjukkan bahwa proses annealing telah meningkatkan persentase struktur kristal. Film tembaga, dengan ketebalan yang berbeda-beda 0,93 nm, 1,97 nm & 2,73 nm, membutuhkan waktu difusi yang berbeda agar terjadi proses rekristalisasi. Dari hasil penelitian ini, disimpulkan bahwa temperatur 700 K, 800 K & 900 K direkomendasikan sebagai parameter temperatur annealing. Selain itu, ditunjukkan bahwa difusi atom, agar terjadi pembentukan struktur kristal, terjadi dalam orde pikosekon.