Perpustakaan Digital ITB

Nanopita monolapis galium nitrida merupakan material semikonduktor berdimensi satu dengan aplikasi di nanoelektronika dan optoelektronika. Namun, pemodelan standar ab initio untuk mengkaji sistem ini terhalang oleh tingginya biaya komputasi. Mengatasi hal tersebut, penelitian ini mencoba menggunakan pendekatan tight-binding berbasis parameter Slater-Koster dengan formalisme non-equilibrium Green’s function dan relasi Kubo-Greenwood untuk memodelkan rapat keadaan, transpor elektrik, dan sifat optik nanopita galium nitrida. Evaluasi rapat keadaan mengonfirmasi sifat semikonduktor material dengan celah pita energi sebesar 3,45 eV untuk tepi armchair dan 3,26 eV untuk tepi zigzag. Dari segi transpor elektron, konfigurasi zigzag memiliki konduktivitas lebih superior dengan arus sebesar 1,75 × 10?4 A dibandingkan tepi armchair dengan arus sebesar 0,8 × 10?4 A pada tegangan bias 10 V. Konduktansi kedua tepi juga meningkat seiring dengan peningkatan suhu dengan ambang batas 1250 K untuk tepi zigzag dan 1500 K untuk tepi armchair. Efek tepi pada tepi zigzag juga membuat konstanta dielektrik statik ?1(0) sebesar 3,48 dan indeks bias statik n0 sebesar 1,86 lebih besar dibandingkan tepi armchair dengan ?1 (0) sebesar 3,01 dan n0 sebesar 1,73. Didapatkan juga reflektivitas statik pada energi rendah untuk tepi zigzag memantulkan 9,1% cahaya dan 7,2% cahaya untuk tepi armchair. Kurva absorpsi juga menunjukkan tidak adanya penyerapan cahaya pada energi rendah dari 0 eV hingga 3,4 eV dan koefisien absorpsi kedua tepi secara keseluruhan berada di rentang sekitar 5 × 106 cm?1 pada energi tinggi.