Perpustakaan Digital ITB

Penelitian ini menganalisis transport balistik elektron pada Double-Gate (DG) Metal-OxideSemiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) menggunakan metode Non-Equilibrium Green's Function (NEGF) yang dikombinasikan dengan teknik Newton-Raphson untuk menyelesaikan persamaan Schrödinger dan Poisson. Penelitian bertujuan untuk memahami pengaruh tegangan eksternal terhadap distribusi potensial elektrostatik, energi subband, dan densitas elektron serta dampaknya terhadap konduktivitas channel dalam transistor skala nano. Hasil simulasi menunjukkan bahwa distribusi potensial elektrostatik berperan penting dalam mengendalikan pergerakan elektron. Peningkatan tegangan gate-source (????????????) dan drain-source (????????????) secara bertahap menurunkan potensial barrier di dekat source dan drain, sehingga elektron dapat terakumulasi di channel dan meningkatkan konduktivitas yang kemudian dapat menghasilkan arus. Analisis subband energi mengungkapkan bahwa subband pertama mendominasi aliran elektron, sementara subband dengan energi lebih tinggi hanya dapat terisi pada kondisi tegangan eksternal yang lebih besar. Distribusi densitas elektron menunjukkan bahwa area source dan drain memiliki konsentrasi elektron yang tinggi, sedangkan channel mendekati nol pada subband dengan energi tinggi. Pada kondisi tegangan rendah, distribusi elektron didominasi oleh subband pertama, sedangkan kontribusi subband kedua dan ketiga menjadi signifikan pada tegangan gate yang lebih tinggi.