ZnO merupakan material yang cukup menjanjikan untuk aplikasi termoelektrik
terutama pada suhu tinggi karena tidak beracun dan murah. Akan tetapi, celah pita
yang lebar dan konduktivitas listrik yang rendah menyebabkan sifat termoelektriknya
menjadi rendah. Dalam tesis ini, sifat elektronik dan termoelektrik dari Cu-doped
ZnO disimulasi dan dihitung dengan metode Density Functional Theory (DFT).
Struktur elektronik Cu-doped ZnO yang terdiri dari band structure dan density of
states disimulasi dan dihitung menggunakan first principle calculations
menggunakan Quantum Espresso (QE) dengan koreksi Hubbard. Hasil perhitungan
struktur elektronik menunjukkan penyempitan celah pita untuk semua struktur Cudoped ZnO (CuiO, CuiT, CuZn, VO+CuZn+Cui, dan VZn+CuZn+Cui) dari ZnO bulk.
Perhitungan lanjutan menggunakan BoltzTraP2 (Boltzmann Transport Properties)
digunakan untuk mengetahui sifat termoelektriknya seperti koefisien Seebeck,
konduktivitas listrik, konduktivitas termal, dan ZT (figure of merit). Hasil
perhitungan BoltzTraP2 menunjukkan bahwa struktur VO+CuZn+Cui dan
VZn+CuZn+Cui mengalami peningkatan nilai ZTe khususnya pada rentang suhu ruang
hingga 500 K. Sehingga struktur ini berpotensi menjadi material termoelektrik.