digilib@itb.ac.id +62 812 2508 8800

OPTIMASI DAN KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS a-Si 1, N2 : H DAN LAPISAN n a-Si:H UNTUK APLIKASI TRANSISTOR FILM TIPIS (TFT)

Penulis : Fitri Suryani Arsyad (NIM 202 97 012)
Kontributor / Dosen Pembimbing :
  • Pembimbing : Jasruddin D M, Drs, MSi
Jenis Koleksi : Tesis
Tahun Terbit :
Penerbit :
Fakultas :
Subjek :
Kata Kunci : konduktivitas, TFT, metode plasma, PECVD
Sumber :
Staf Input/Edit :   Ena Sukmana
File : 7 file
Tanggal Input : 27 Sep 2017

Pages from 2000 TS PP FITRI SURYANI ARSYAD 1-COVER.pdf

Pages from 2000 TS PP FITRI SURYANI ARSYAD 1-BAB1.pdf
Pages from 2000 TS PP FITRI SURYANI ARSYAD 1-BAB2.pdf
Pages from 2000 TS PP FITRI SURYANI ARSYAD 1-BAB3.pdf
Pages from 2000 TS PP FITRI SURYANI ARSYAD 1-BAB4.pdf
Pages from 2000 TS PP FITRI SURYANI ARSYAD 1-BAB5.pdf
2000 TS PP FITRI SURYANI ARSYAD 1-PUSTAKA.pdf

Abstrak: Telah ditumbuhkan lapisan tipis a-s1aNa:H dan n a-Si_H dengan metode plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Menggunakan gas SiH4 10 persen dalam H2, NH3 dan PH3 100 persen sebagai sumber gas. Penumbuhan lapisan a-Si aNa:H untuk optimasi fraksi gas NH3 dalam SiH4 60 persen diperoleh konduktivitas gelap lapisan sebesar 1,4x10 pangkat 11 S cm.

Artikel Terkait