Perpustakaan Digital ITB

Perhitungan komputasi ab initio dengan metode full-potential linearized augmented plane-wave FP-LAPW pada material Zn1-xMxO (M = Cd, Cu) telah dilakukan. Secara umum, pengotor Cd dan Cu pada ZnO dapat mempersempit lebar celah pita energi dan meningkatkan density of states (DOS) pada daerah celah pita. Hal ini dapat menyebabkan peningkatan pada sifat hantaran listrik dan intensitas (quantum yield) optiknya. Terdapatnya pengotor Cd dalam ZnO mengakibatkan penyempitan lebar celah pita energi ZnO yang semakin besar seiring dengan meningkatnya konsentrasi Cd dalam Zn1-xCdxO. Adanya pengotor Cd dalam ZnO juga dapat menggeser energi pita konduksi sedikit lebih rendah serta memperbesar DOS. Struktur pita elektronik Zn1-xCdxO juga menunjukkan adanya pembelahan tingkat energi baik pada daerah pita valensi maupun pita konduksi. Pembelahan tingkat energi pada Zn1-xCdxO menjadi semakin besar dengan semakin besarnya konsentrasi Cd dalam Zn1-xCdxO dari 0,125 hingga 0,375. Hasil perhitungan struktur pita elektronik dan DOS yang diperoleh dari paduan Cu pada Zn1-xCdxO memiliki pola yang sama dengan paduan Cd tetapi menghasilkan penyempitan lebar celah pita energi yang lebih besar daripada paduan Cd. DOS yang dihasilkan dalam paduan Zn0,75Cu0,25O pada tepi ujung pita valensi dan konduksi lebih besar daripada DOS yang dihasilkan pada Zn1-xCdxO.