Perpustakaan Digital ITB

ZnO memiliki sifat fisik dan kimia yang baik sebagai bahan dasar pembuatan sambungan p-n. Fabrikasi sambungan p-n berbahan dasar ZnO dilakukan dengan menggunakan metode deposisi larutan menggunakan Zn(NO3).6H2O 100 mM sebagai sumber Zn2+ serta heksametilentetramin sebagai sumber basa dengan medan listrik eksternal 3 kV/cm untuk mengarahkan pertumbuhan secara aksial membentuk morfologi nanorods pada suhu 90 oC selama 8 jam. Perlakuan spin coating dilakukan sebelum sintesis dengan menggunakan Zn(CH3COO)2.2H2O 5 mM dalam etanol p.a sebagai sumber bibit kristal ZnO yang didekomposisi pada 250 oC selama 30 menit. Dopan yang digunakan untuk membuat sambungan p-n adalah 5% mol ion Li+ serta 5% mol ion Al3+ untuk tipe-p dan tipe-n secara berurutan. Sintesis film tipis dilakukan di atas substrat SiO2 untuk mengetahui pengaruh spin coating terhadap morfologi kristal ZnO yang disintesis dan untuk menentukan urutan sintesis sambungan p-n. Hasil karakterisasi film tipis yang meliputi karakterisasi difraksi sinar-X (XRD), Scanning Electron Microscopy (SEM), dan Fotoluminesens (PL), didapati bahwa perlakuan spin coating menghasilkan morfologi kristal yang lebih rapat dan membentuk struktur nanorods yang tumbuh secara dominan ke arah sumbu c dibandingkan kristal tanpa perlakuan spin coating serta kristal ZnO tipe-p akan ditumbuhkan terlebih dahulu selanjutnya tipe-n. Fabrikasi sambungan p-n kemudian dilakukan di atas substrat ITO (Indium Tin Oxide) dan dari hasil karakterisasi difraksi sinar-X didapatkan kristal ZnO yang tumbuh dominan secara aksial yang ditunjukkan dengan puncak pada nilai 2? sebesar 34,5o. Hasil karakterisasi SEM menunjukkan kerapatan nanorods yang meningka tserta dapat menunjukkan secara fisis sambungan yang terjadi. Hasil pengukuran arus terhadap tegangan menunjukkan karakter dioda dari sambungan p-n pada rentang pengukuran -2,00 – 4,00 Volt. Pemanasan pada 300 oC menghasilkan dioda dengan karakter yang lebih baik, seperti yang ditunjukkan pada kurva arus terhadap tegangan.