digilib@itb.ac.id +62 812 2508 8800

Pada penelitian ini, lapisan tipis MoS2 dideposisikan di atas substrat silikon dan quartz menggunakan metode mechanical exfoliation. Sebagian kecil Bulk MoS2 diambil dan diratakan menggunakan scotch tape, kemudian dideposisikan pada substrat dalam kondisi suhu ruang. Setelah itu, karakterisasi SEM, XRD, dan EDS dilakukan untuk mengidentifikasi topografi, kristalinitas, dan unsur-unsur yang terkandung di dalamnya. Selanjutnya karakterisasi FTIR dan Raman dilakukan untuk mengetahui ikatan-ikatan atom serta jumlah lapisan yang terbentuk pada sampel. Hasilnya menunjukkan bahwa tidak terdapat fingerprint MoS2 dari spektra FTIR, baik pada silikon maupun quartz. Puncak yang muncul merupakan karakteristik interaksi antara substrat dengan unsur lain seperti atom C, H, dan O yang terdapat di lingkungan penumbuhan dan sulit untuk dihindari. Proses annealing dilakukan untuk kedua sampel MoS2 pada suhu 5000C selama 10 menit, menghasilkan spektra FTIR yang berbeda dengan sebelumnya dan menunjukkan adanya aktivitas inframerah dari atom S dan Mo. Melalui hasil ini, dapat disimpulkan bahwa mode IR aktif untuk MoS2 tidak masuk pada rentang FTIR yang digunakan, sehingga diperlukan studi lebih lanjut, seperti FTIR dengan resolusi yang lebih tinggi untuk mengidentifikasi aktivitas IR MoS2.