Perpustakaan Digital ITB

Telah ditumbuhkan film tipis GaN di atas substrat sapphire (0001) dengan teknik Pulsed Laser Deposition. Gas N2 dengan laju aliran 100 sccm digunakan untuk menjaga stoikiometri film tipis. Temperatur penumbuhan divariasi dari 650°C, 680°C sampai 700°C. Film GaN dianalisa menggunakan Difraktometer sinar-X, Profilometer Dektak IIA dan Scanning Electron Microscopy. Film tipis yang dihasilkan memberikan struktur kristal tunggal dengan orientasi (0002) dan (0004) yang menunjukkan struktur heksagonal. Pada temperatur penumbuhan 680°C memberikan nilai FWHM terkecil yaitu 0,4°. Morfologi permukaan menunjukkan penumbuhan film yang berupa pulau-pulau terisolasi