Perpustakaan Digital ITB

Performa dari divais memori berbasis Si/Ge/Si quantum dot yang melibatkan karakteristik retensi dan kecepatan operasi telah dilakukan. Hasil simulasi menunjukkan bahwa waktu retensi yang dihasilkan dari struktur memori ini mengalami peningkatan sampai orde 109 detik atau sekitar 10 tahun. Sedangkan kecepatan operasi yang diperoleh mencapai orde ms. Lamanya waktu retensi ini disebabkan oleh adanya nanokristal Ge pada Si dot yang menjadi sumur potensial didalam dot karena Ge memiliki celah pita energi yang lebih sempit dibandingkan Si. Disamping itu, dibungkusnya Ge oleh Si dot dapat menjaga kualitas antarmuka yang terbentuk antara Si dengan SiO2. Struktur divais memori Si/Ge/Si quantum dot ini merupakan divais memori berbasis struktur nano yang sangat menjanjikan untuk memasuki era nanoelektronik menggantikan memori konvensional. Tugas akhir ini memberikan informasi tentang simulasi karakteristik Si/Ge/Si QD dengan menggunakan program komputasi.