Perpustakaan Digital ITB

Penelitian ini bertujuan untuk mempelajari pengaruh pemberian doping Sn 3% pada material ZnO serta melihat sifat listrik yang dihasilkan serta potensinya sebagai optoelektronik. Sn:ZnO (SZO) di tumbuhkan pada temperatur RT (SZO-RT) dan dibandingkan dengan ZnO murni dengan suhu deposisi yang sama. Selanjutnya telah dilakukan penumbuhan SZO untuk suhu deposisi yang lain yaitu 1500C (SZO-150), dan 2500C (SZO-250). Adapun Teknik deposisi yang digunakan pada penelitian ini adalah DC-Unbalanced Magnetron Sputtering. Masing-masing sampel dikarakterisasi menggunakan Photoluminescence (PL) dan spektoskopi UV-Vis untuk menganalisi cacat kristal, energi bandgap dan sifat optik lainnya. Karakterisasi scanning electron microscopy (SEM) juga dilakukan untuk menganalisis morfologi. Selanjutnya juga dilakukan pengukuran I-V untuk melihat respon sampel terhadap cahaya ketika disinari lampu halogen berdaya 70 Watt serta menentukan nilai arus yang dihasilkan. Doping Sn pada material ZnO telah berhasil ditumbuhkan ditandai dengan hasil uji karakterisasi SEM-EDX diperoleh morfologi ZnO dan SZO (SZO-RT, SZO-150, dan SZO-250) yang homogen serta citra permukaan yang lebih halus setelah didoping Sn. Pada deposisi room temperature spectrum photoluminescence menunjukkan bahwa SZO memiliki densitas kekosongan oksigen (Vo) yang lebih tinggi dibanding ZnO. Tingginya Vo berperan penting terhadap sensitvitas film tipis. Berdasarkan pengukuran I-V sensitivitas SZO lebih tinggi dibanding ZnO. Vo tersebut juga mempengaruhi nilai bandgap yang menyebabkan adanya efek Burstein-Moss. Spektoskopi UV-Vis menunjukkan, pada temperatur ruang terjadi pergeseran nilai bandgap setelah didoping Sn yaitu 3.37 eV (ZnO) dan 3.40 eV (SZO) semetara kurva trasmitansi menunjukkan bahwa SZO lebih transparan dibanding ZnO. SZO pada suhu deposisi RT, 1500C dan 2500C, berdasarkan karakteristik I-V terjadi peningkatan sensitivitas seiring dengar kenaikan suhu deposisi. Energi bandgap SZO pada suhu deposisi deposisi RT, 1500C dan 2500C berturut-turut adalah 3.40 eV, 3.33 eV dan 3.29 eV. Hasil ini menunjukkan bahwa doping Sn berpotensi untuk dijadikan sebagai peranngkat optoelektronik.