Perpustakaan Digital ITB

Telah diselidiki pengaruh annealing terhadap sifat listrik untuk mempelajari kestabilan termal, pengaruh lapisan interface, dan reaksi oksidasi pada AlGaN yang ditumbuhkan di atas substrat Si (111) dengan teknik metal-organic-vapour-deposition berbantuan plasma (PA-MOCVD) sebagai kontak Schottky metal-semikonduktor-metal (MSM). Telah dihitung kebergantungan dark current yang berhubungan dengan tinggi barrier untuk tiap sampel sebelum dan sesudah diberikan annealing. Meskipun setiap sampel ditumbuhkan dengan parameter dan proses pembuatan kontak Au yang sama, ternyata karakteristik I-V bergantung pada distribusi atom-atom Al pada lapisan tipis yang ditinjau melalui tinggi barrier masing-masing divais. Setelah annealing pada suhu 5000C selama lima menit menunjukkan dark current masih dipengaruhi dominan oleh kebocoran arus yang disebabkan interface kontak dan lapisan. Hasil berikutnya menunjukkan dark current setiap sampel menurun yang berkebalikan terhadap tinggi barrier setelah diaanealing pada suhu 6000C selama lima menit. Kondisi maksimum yang terkait dengan dark current yang paling rendah dan barrier yang paling tinggi dicapai setelah dibreikan annealing pada suhu 8000C selama dua menit, kondisi ini didominasi oleh perubahan struktutr lapisan. Reaksi oksidasi terbentuk pada permukaan lapisan setelah diannealing pada suhu 8500C selama lima empat menit oleh sisa-sisa pengotor didalam gas nitrogen.