![](https://digilib.itb.ac.id/assets/icon/pdf.gif)
ABSTRAK Aflah Zaharo
PUBLIC Yati Rochayati ![](https://digilib.itb.ac.id/assets/icon/pdf.gif)
COVER Aflah Zaharo
PUBLIC Yati Rochayati ![](https://digilib.itb.ac.id/assets/icon/pdf.gif)
BAB 1 Aflah Zaharo
PUBLIC Yati Rochayati ![](https://digilib.itb.ac.id/assets/icon/pdf.gif)
BAB 2 Aflah Zaharo
PUBLIC Yati Rochayati ![](https://digilib.itb.ac.id/assets/icon/pdf.gif)
BAB 3 Aflah Zaharo
PUBLIC Yati Rochayati ![](https://digilib.itb.ac.id/assets/icon/pdf.gif)
BAB 4 Aflah Zaharo
PUBLIC Yati Rochayati ![](https://digilib.itb.ac.id/assets/icon/pdf.gif)
BAB 5 Aflah Zaharo
PUBLIC Yati Rochayati ![](https://digilib.itb.ac.id/assets/icon/pdf.gif)
PUSTAKA Aflah Zaharo
PUBLIC Yati Rochayati
Wurtzite-GaN (w-GaN) memiliki karakteristik khusus seperti mobilitas muatan
yang tinggi, konduktivitas listrik yang tinggi, dan sifat fisika-kimia yang memiliki
potensi aplikasi yang luas di berbagai bidang spintronik dan optoelektronik.
Penambahan atom dopan cenderung dapat meningkatkan properti elektronik,
magnetik maupun optik dalam sistem w-GaN dengan dopan tanah jarang (TJ). Pada
penelitian ini kami menyelidiki sifat elektronik, magnetik, dan optik dari wGa1?xTJxN dan w-Ga1?2xTJ2xN (TJ = Eu, Er, dan Tm) menggunakan density
functional theory (DFT) dan efek peningkatan konsentrasi dopan. Kami juga
membandingkan hasil perhitungan band gap GGA dan GGA+U dan kami
menemukan GGA+U menunjukkan nilai yang lebih dekat dengan eksperimen
dengan band gap untuk w-GaN yang didoping Er dan Tm masing-masing adalah
3,06 eV dan 3,38 eV. Untuk properti elektronik, dengan adanya penurunan nilai
band gap, dihasilkan konstanta dielektrik statis yang lebih besar. Untuk sifat
magnetik, dopan TJ dengan konsentrasi 6,25% menghasilkan struktur elektronik
bersifat isolator dengan nilai momen magnetik tertentu. Selain itu, momen
magnetik menjadi dua kali lipat dengan meningkatnya konsentrasi dopan. Untuk
sifat optik, sistem GaN yang didoping TJ menunjukkan pergeseran daerah serap
dari UV ke daerah cahaya tampak. Selanjutnya, puncak serapan mengalami
pergeseran ke tingkat energi yang lebih rendah berkaitan dengan peningkatan
konsentrasi dopan dan nomor atom masing-masing untuk dopan Eu, Er dan Tm.
Sifat menarik dari GaN yang didoping TJ berpotensi diterapkan untuk DMS dan
spintronik.