Perpustakaan Digital ITB

Sel surya berbasis perovskait (PSC) sedang mendapat banyak perhatian karena perkembangannya yang signifikan. Material perovskait memiliki energi ikat eksiton yang rendah, koefisien absorpsi optik yang tinggi, dan mobilitas elektron yang tinggi sehingga material ini memiliki performa fotovoltaik yang sangat baik. Namun, material perovskait memiliki struktur kisi yang lunak sehingga mudah membentuk cacat dan menyebabkan ion mudah bergerak melalui cacat tersebut. Proses-proses fisis yang terjadi dalam sel surya perovskait seperti migrasi ion dan rekombinasi ditemukan berkaitan dengan efisiensi sel surya perovskait (PSC). Dalam penelitian ini, pengaruh dari rekombinasi akibat keberadaan keadaan perangkap permukaan dan kemunculan histerisis akibat migrasi ion terhadap efisiensi sel surya perovskait (PSC) akan dikaji. Proses transpor pembawa muatan dalam devais sel surya perovskait (PSC) telah dimodelkan dalam model aliran hanyut-difusi. IonMonger, program komputasi berbasis metode elemen hingga, digunakan untuk menyelesaikan model aliran hanyut-difusi. Penyelesaian model menghasilkan kurva J-V, potensial listrik, distribusi elektron, dan densitas vakansi anion. Parameter devais sel surya perovskait (PSC) seperti ketebalan lapisan perovskait, laju rekombinasi, jumlah doping pada lapisan transpor, koefisien difusi ion, dan densitas vakansi ion divariasikan untuk mempelajari bagaimana migrasi ion dan rekombinasi dapat memengaruhi efisiensi sel. Hasil simulasi menunjukkan bahwa rekombinasi akibat keberadaan keadaan perangkap berpengaruh terhadap penurunan Jsc dan Voc dan jumlah keadaan perangkap pada bidang batas ETL memiliki pengaruh yang lebih dominan dibandingkan keadaan perangkap pada bidang batas HTL. Selain itu, simulasi menunjukkan bahwa histerisis disebabkan oleh pembentukan pelengkungan pita di bidang batas yang lebar dan besarnya dipengaruhi oleh akumulasi vakansi anion pada bidang batas tersebut.