Perpustakaan Digital ITB

Senyawa CaCu3Ti4O12 (CCTO) merupakan oksida dengan konstanta dielektrik tinggi (104-105) yang tidak berubah pada rentang suhu 100-600 K dan bersifat isolator. Dalam industri elektronik, oksida dengan permitivitas tinggi (dielektrik) banyak diaplikasikan untuk transistor, kapasitor, alat microwave, dan DRAM (Dynamic Random Access Memory). Peneliti sebelumnya telah melakukan sintesis CaCu3-xNixTi4O12 (CCNTO) dengan konsentrasi Ni maksimum x = 0,1. Oleh karena itu, pada penelitian ini dilakukan doping Ni dalam jumlah lebih besar untuk melihat kemungkinan perubahan sifat fisis senyawa tersebut menjadi konduktor. Penelitian ini bertujuan untuk menentukan struktur, sifat dielektrik dan transpor dari senyawa CaCu3-xNixTi4O12 dengan nilai x bervariasi dari 0 hingga 3. Pendopingan Ni2+ diharapkan akan meningkatkan nilai konduktivitas. Sintesis CCNTO dilakukan menggunakan reaksi fasa padat. Karakterisasi difraksi sinar-X dilakukan untuk penentuan struktur kristal. Pengukuran konduktivitas dilakukan dengan metode 4 titik dan 2 titik. Penentuan konstanta dielektrik material dilakukan dengan pengukuran kapasitansi menggunakan LCR meter. Struktur senyawa CCNTO dengan sistem kristal kubik dan simetri Im ̅ diperoleh hingga nilai x = 1. Pada nilai x = 2 terjadi deformasi struktur dan pada x = 3 terbentuk campuran CaTiO3 dan NiTiO3. Penambahan konsentrasi Ni menurunkan nilai konduktivitas dan konstanta dielektrik. Hal ini dimungkinkan karena terjadinya deformasi oksida CCNTO.