digilib@itb.ac.id +62 812 2508 8800

PEMODELAN ARUS TEROBOSAN DI DALAM TRANSISTOR DWIKUTUB SAMBUNGAN HETERO Si/Si1-x Gex/Si ANISOTROPIK DAN VERIFIKASINYA

Penulis : LILIK HASANAH (NIM 30203005)
Kontributor / Dosen Pembimbing :
  • Pembimbing: Dr. Sukirno, Dr. Eng. Khairurrijal, dan Dr. Toto Winata
Jenis Koleksi : Disertasi
Penerbit :
Fakultas :
Subjek :
Kata Kunci : Arus terobosan, kecepatan elektron, konsentrasi germanium, material anisotropik, orientasi kristal, regangan kompresif, regangan tensil, struktur hetero, transistor dwikutub sambungan hetero, transmitansi elektron
Sumber :
Staf Input/Edit : Vika Anastasya Kovariansi   Ena Sukmana
File : 8 file
Tanggal Input : 27 Sep 2017

2008 DIS PP LILIK HASANAH 1-COVER.pdf

File tidak tersedia
2008 DIS PP LILIK HASANAH 1-BAB 1.pdf
File tidak tersedia
2008 DIS PP LILIK HASANAH 1-BAB 2.pdf
File tidak tersedia
2008 DIS PP LILIK HASANAH 1-BAB 3.pdf
File tidak tersedia
2008 DIS PP LILIK HASANAH 1-BAB 4.pdf
File tidak tersedia
2008 DIS PP LILIK HASANAH 1-BAB 5.pdf
File tidak tersedia
2008 DIS PP LILIK HASANAH 1-BAB 6.pdf
File tidak tersedia
2008 DIS PP LILIK HASANAH 1-PUSTAKA.pdf
File tidak tersedia

Akhir-akhir ini perkembangan divais elektronik sangat cepat dengan unjuk kerja divais menuju ke arah yang lebih baik. Peningkatan unjuk kerja divais ini dipicu oleh jumlah transistor yang semakin banyak dalam sebuah chip rangkain terpadu (integrated circuit) dan ukuran transistor semakin kecil. Selama ini, silikon merupakan teknologi mikroelektronik yang paling murah untuk rangkaian terintegrasi sehingga telah mendominasi industri divais elekktronik. Beberapa kelemahan yang dimiliki silikon seperti mobilitas dan kecepatan saturasi rendah memberikan peluang pada material semikonduktor lain untuk digunakan pada rangkaian terintegrasi mikrolektronik.Kemampuan teknologi SiGe untuk mengatur celah pita dan regangan (strain) pada lapisan silikon diharapkan dapat mengatasi kelemahan-kelemahan silikon tetapi mempertahankan proses fabrikasi yang maju dan murah. Saat ini, transistor dwikutub sambungan hetero (heteojunction bipolar transistor (HBT)) Si/Si1-xGex/Si memungkinkan untuk mendapatkan penguatan yang besar, unjuk kerja berkecepatan tinggi dan kesesuain teknologi relatif dengan teknologi silikon yang telah ada. Studi teoritik berguna untuk mempelajari dan memprediksi sifat-sifat transistor dwikutub sambungan hetero Si/Si1-xGex/Si yang baru. Berbagai model transport pembawa seperti difusi-drift, transport-energi, transport-hidrodinamik, dan transportkuantum dapat digunakan untuk memodelkan divais struktur hetero. Dengan semakin menyusutnya ukuran divais, efek kuantum menjadi lebih nyata dan harus dikutsertakan dalam perhitungan arus.Perhitungan transmitansi elektron dilakukan dengan dua cara yaitu secara analitik dan metode matriks transfer. Pernyataan analitik dari transmitansi elektron yang datang pada heterostruktur Si(110)/Si1-xGex/Si(110) anisotropik dikerjakan dengan memecahkan persamaan Schrodinger yang melibatkan elemen-elemen tensor massa efektif selain elemen-elemen diagonal (off-diagonal). Perhitungan transmitansi secara analitik ini kemudian diuji dengan perhitungan transmitansi menggunakan metode matriks transfer. Di sini, diperoleh hasil perhitungan transmitansi elektron analitik sama dengan hasil perhitungan metoda matriks transfer.

Artikel Terkait