Studi ini mengevaluasi dampak arsitektur NIP dan PIN terhadap kinerja sel surya perovskit berbasis FASnI? (PSC) melalui simulasi menggunakan perangkat lunak SCAPS-1D. FASnI? adalah material yang menjanjikan untuk PSC karena memiliki celah pita yang sesuai, stabilitas termal yang lebih baik, dan toksisitas yang lebih rendah dibandingkan dengan perovskit berbasis Pb. Optimalisasi struktur NIP dengan variasi dalam donor density dan ketebalan lapisan FASnI? telah dilakukan. Donor density berupa shallow density acceptor sebesar 10¹? cm?³ menghasilkan peningkatan kinerja yang optimal. Perbandingan antara konfigurasi NIP dan PIN menunjukkan bahwa meskipun arsitektur NIP lebih baik dari arsitektur PIN dengan material Spiro-OMeTAD, namun pilihan lapisan transportasi hole (HTL) sangat mempengaruhi efisiensi arsitektur PIN. PTAA diidentifikasi sebagai HTL yang paling baik untuk struktur PIN, menawarkan efisiensi yang lebih tinggi. Selain itu, studi juga meneliti untuk optimalisasi pada nilai capture cross section menjadi 10-19 didapatkan kinerja sel surya yang paling maksimum untuk keseluruhan opsi material HTL diantaranya dihasilkan efisiensi sel surya dengan opsi material HTL berupa PTAA, PEDOT : PSS dan Spiro-OMeTAD berturut – turut adalah 22,54%, 16,78% dan 4,58% dengan elektroda Au. Selain itu atas variasi penggunakan elektroda seperti Ag dan Cu juga dapat meningkatkan kinerja khususnya terkait PCE dan Jsc.
Kata kunci: perovskite solar cells, FASnI?, arsitektur NIP, arsitektur PIN, hole transport layer, SCAPS-1D.