Perpustakaan Digital ITB

hexagonal-Iron Sulfide (h-FeS) memiliki potensi signifikan untuk diterapkan di berbagai bidang karena sifat uniknya yang dapat berubah dari semikonduktor menjadi logam. Namun, stoikiometri h-FeS sulit diperoleh secara alami akibat adanya kekosongan atom besi (Fe). Pengaruh kekosongan atom besi terhadap sifat elektronik dan optiknya belum banyak diketahui. Penelitian ini melakukan perhitungan pengaruh kekosongan atom besi terhadap sifat elektronik dan optik dengan pendekatan density functional theory (DFT). Kekosongan atom besi sebesar 2.08% tetap mempertahankan sifat semikonduktor dengan lebar celah bandgap sebesar 0.42 eV. Namun, saat konsentrasi kekosongan atom besi ditingkatkan menjadi 4.16% dan 8.33%, sifat elektroniknya berubah menjadi half-metallic. Dari sifat elektroniknya, material h-FeS dengan kekosongan atom Fe dapat menginduksi perilaku metal-insulator-transition (MIT). Sedangkan sifat optiknya menunjukkan bahwa dengan dan atau tanpa kekosongan atom besi, puncak penyerapan maksimum berada pada panjang gelombang 932 nm, yang berada di daerah infrared. Struktur dengan kekosongan atom besi (Fe) sebesar 2.08% memiliki daya penyerapan tertinggi. Temuan ini bermanfaat bagi pengembangan perangkat medis dan spintronic. Dengan demikian, h-FeS dengan kekosongan atom Fe membuka peluang besar untuk inovasi dalam teknologi yang menggabungkan properti semikonduktor dan logam dalam satu material.