![](https://digilib.itb.ac.id/assets/icon/pdf.gif)
ABSTRAK Ari Sulistyowati
PUBLIC Yati Rochayati ![](https://digilib.itb.ac.id/assets/icon/pdf.gif)
COVER Ari Sulistyowati
PUBLIC Yati Rochayati ![](https://digilib.itb.ac.id/assets/icon/pdf.gif)
BAB 1 Ari Sulistyowati
PUBLIC Yati Rochayati ![](https://digilib.itb.ac.id/assets/icon/pdf.gif)
BAB 2 Ari Sulistyowati
PUBLIC Yati Rochayati ![](https://digilib.itb.ac.id/assets/icon/pdf.gif)
BAB 3 Ari Sulistyowati
PUBLIC Yati Rochayati ![](https://digilib.itb.ac.id/assets/icon/pdf.gif)
BAB 4 Ari Sulistyowati
PUBLIC Yati Rochayati ![](https://digilib.itb.ac.id/assets/icon/pdf.gif)
BAB 5 Ari Sulistyowati
PUBLIC Yati Rochayati ![](https://digilib.itb.ac.id/assets/icon/pdf.gif)
PUSTAKA Ari Sulistyowati
PUBLIC Yati Rochayati
hexagonal-Iron Sulfide (h-FeS) memiliki potensi signifikan untuk diterapkan di berbagai
bidang karena sifat uniknya yang dapat berubah dari semikonduktor menjadi logam. Namun,
stoikiometri h-FeS sulit diperoleh secara alami akibat adanya kekosongan atom besi (Fe).
Pengaruh kekosongan atom besi terhadap sifat elektronik dan optiknya belum banyak
diketahui. Penelitian ini melakukan perhitungan pengaruh kekosongan atom besi terhadap
sifat elektronik dan optik dengan pendekatan density functional theory (DFT). Kekosongan
atom besi sebesar 2.08% tetap mempertahankan sifat semikonduktor dengan lebar celah
bandgap sebesar 0.42 eV. Namun, saat konsentrasi kekosongan atom besi ditingkatkan
menjadi 4.16% dan 8.33%, sifat elektroniknya berubah menjadi half-metallic. Dari sifat
elektroniknya, material h-FeS dengan kekosongan atom Fe dapat menginduksi perilaku
metal-insulator-transition (MIT). Sedangkan sifat optiknya menunjukkan bahwa dengan dan
atau tanpa kekosongan atom besi, puncak penyerapan maksimum berada pada panjang
gelombang 932 nm, yang berada di daerah infrared. Struktur dengan kekosongan atom besi
(Fe) sebesar 2.08% memiliki daya penyerapan tertinggi. Temuan ini bermanfaat bagi
pengembangan perangkat medis dan spintronic. Dengan demikian, h-FeS dengan kekosongan
atom Fe membuka peluang besar untuk inovasi dalam teknologi yang menggabungkan
properti semikonduktor dan logam dalam satu material.