Perpustakaan Digital ITB

Penguat daya RF (Radio Frequency) merupakan salah satu komponen yang dibutuhkan dalam proses transmisi sinyal untuk memastikan tidak terjadi distorsi akibat redaman yang terjadi saat proses transmisi sinyal. Dalam mendesain penguat daya RF transistor merupakan salah satu komponen yang mempengaruhi kinerja sebuah penguat daya RF. Jenis transistor GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) banyak digunakan untuk mendesain penguat daya RF karena dapat bekerja pada frekuensi tinggi dengan mobilitas elektron yang tinggi sehingga jenis transistor ini dapat memberikan efisiensi daya yang tinggi. Karena perkembangan komunikasi yang semakin kompleks membutuhkan perangkat yang dapat mendukung sistem tersebut salah satunya kebutuhan penguat daya RF untuk menghindari kegagalan saat mengguatkan daya sinyal. Penguat daya paralel salah satu pilihan konfigurasi yang dapat digunakan untuk menghindari kegagalan penguatan sinyal di transmiter. Karena disusun secara paralel kedua penguat daya yang tergabung bekerja secara independent tanpa mempengaruhi satu dan lainnya. Pada penelitian ini dilakukan perancangan, simulasi dan realisasi penguat daya RF paralel yang bekerja untuk aplikasi komunikasi nirkabel. Pembagi daya menggunakan topologi Cohn digunakan untuk membagi daya input menjadi dua sama besar dengan fasa yang sama. Material dielektrik yang digunakan adalah Rogers R0-4003C dengan permitivitas relatif (?r ) 3,55 dan ketebalan 0,81 mm. Pengukuran gain maksimum yang dihasilkan berada frekeunsi 1.25 GHz bernilai 16.43 dB dengan bandwidth -3 dB mencapai 2.5 GHz pada rentang 1 – 3,5 GHz.