Perpustakaan Digital ITB

Abstrak : Dalam studi ini, telah dikonstruksi model mekanisme deposisi lapisan tipis Zinc-Oxide (ZnO) yang ditumbuhkan dengan metode metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) dan metode atomic layer deposition (ALD) menggunakan pereaksi diethylzinc (DEZ) dan H20. Model tersebut digunakan untuk mendapatkan informasi hubungan laju deposisi (deposition rate) dengan parameter-parameter eksperimen, seperti temperatur substrat, temperatur bubbler DEZ, dan temperatur bubbler H20. Diperoleh bahwa model yang diajukan telah dapat menjelaskan dengan baik data eksperimen yang telah dilakukan. Dalam studi ini juga dilakukan analisis fenomena self limiting mechanism yang terjadi pada proses ALD-ZnO. Disamping itu, dibahas juga efek penyinaran ultra violet pada proses MOCVD-ZnO.