Perpustakaan Digital ITB

AbstrakTelah dilakukan studi pengaruh ketebalan lapisan penyangga GaN terhadap film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Pulsed Laser Deposition. Lapisan penyangga ditumbuhkan pada temperatur T=450°C dan laju alkali nitrogen 100 sccm dengan waktu deposisi divariasikan antara 15 sampai 45 merit. Film yang diperoleh dikarakterisasi dengan profilometer DEKTAK IIA, Difraksi sinar-X dan Spektroskopi UV-vis. Ketebalan lapisan penyangga berpengacuh terhadap kualitas kristal dan sifat optik film tipis GaN yang ditumbuhakan di atasnya. Dari karakterisasi Difraksi sinar-X dan analisa Spektroskopi UV-vis diketahui balhwa film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas lapisan penyangga dengan ketebalan 184,6A cenderung memiliki orientasi tunggal (0002) dan sifat optik yang lebih baik dengan FWHM 0,9° dan energi band gap (Eg) = 3,4 eV. dibandingkan dengan film tipis GaN dengan ketebalan lapisan penyangga 370,2A dan 560A.